比利时鲁汶，2026年3月18日——全球半导体研发领域的领军机构imec正式宣布，其位于鲁汶的300毫米洁净室已安装ASML EXE:5200高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻系统。这一里程碑事件标志着行业正式迈入“埃米时代”，imec将以此为核心，为其全球合作伙伴提供下一代芯片缩放技术的早期访问权限，加速先进制程的研发进程。
该高NA EUV系统集成了全面的图形化与量测工具及材料，旨在赋能imec及其生态伙伴解锁突破2纳米逻辑芯片和高密度存储技术所需的关键性能，为人工智能和高性能计算的爆发式增长提供底层算力支撑。imec首席执行官Luc Van den hove指出，过去两年是High NA（0.55NA）EUV光刻技术的重要篇章，imec与ASML在荷兰费尔德霍芬联合建立的实验室已率先开展技术攻关。此次将EXE:5200引入鲁汶，旨在将相关技术推向工业级规模，并开发下一代应用场景。该系统凭借无与伦比的分辨率、优化的套刻精度、高吞吐量以及提升工艺稳定性的新晶圆存储装置，将为合作伙伴加速2纳米以下芯片技术的开发提供决定性优势。
这一举措是imec与ASML为期五年的战略合作关键一环，并得到了欧盟（芯片联合倡议和IPCEI）、弗拉芒政府及荷兰政府的大力支持。Luc Van den hove强调，作为欧盟资助的NanoIC试点生产线的重要组成部分，该设备将在未来几十年巩固欧洲在先进半导体研发领域的领导地位。imec通过与芯片制造商、设备商、材料光刻胶供应商、掩膜版公司及量测专家的深度协作，将大幅缩短学习周期，提升工艺稳定性，从而推动下一代逻辑与存储器件技术的突破。
ASML首席执行官Christophe Fouquet表示，imec安装EXE:5200是迈向埃米时代的关键一步，双方将共同加速高NA EUV技术在下一代先进存储和计算领域的可扩展性。imec预计该设备将于2026年第四季度完成全面资格认证。在此期间，位于费尔德霍芬的联合实验室将继续运营，确保High NA EUV研发活动的连续性。
对于中国半导体从业者而言，欧洲在埃米时代光刻技术的抢先布局与产学研深度协同模式值得深思，这提示我们在追求先进制程突破时，需进一步强化产业链上下游的联合攻关机制，以应对全球技术竞争的新格局。