2026年3月，纳维塔斯半导体（Navitas Semiconductor）发布了一款基于GaNFast技术的800V转6V直流电源板。该方案的核心突破在于彻底摒弃了传统数据中心电源架构中必需的48V中间总线环节，旨在为英伟达（NVIDIA）不断演进的AI基础设施提供更高效、更可靠且空间利用率更高的供电解决方案。
这一技术动向深刻揭示了高压直转技术在重塑AI数据中心供电架构中的潜力。随着AI计算机架向更高功率密度迈进，传统的多级转换架构已难以满足需求，而纳维塔斯的800V直转6V方案正试图通过简化拓扑结构，解决高密度算力场景下的能效瓶颈。
从投资叙事角度看，纳维塔斯的核心逻辑在于其GaN和SiC功率芯片能否将巨大的市场潜力转化为在AI数据中心和能源电气化领域的长期优势。这款800V电源板是短期内驱动AI数据中心业务的关键催化剂，但投资者仍需警惕其面临的短期风险：营收基数尚小、持续亏损以及此前在电动汽车、光伏和工业市场的需求疲软导致的成本削减压力。
近期，纳维塔斯还推出了面向1200V MOSFET的GeneSiC新封装，包括低轮廓QDPAK和TO 247 4L型号。这些产品明确瞄准高密度AI数据中心机架和能源基础设施，与800V直转方案共享同一高压生态系统。若能成功将设计优势转化为高毛利收入，将极大加速公司的商业化进程。
市场预测显示，纳维塔斯预计2028年营收将达到1.298亿美元，净利润转为1830万美元，实现年均23.9%的营收增长。尽管此前悲观预期认为营收仅能增长至7090万美元，但此类AI核心产品的发布有望扭转分析师观点，不过客户集中度的风险依然存在。
对于中国从业者而言，纳维塔斯的这一技术路径表明，随着国产AI算力集群对能效要求的提升，高压直转架构或将成为未来数据中心电源设计的必然趋势，中国企业应密切关注GaN技术在高压场景下的应用落地，以抢占下一代供电技术的先机。