日本行业信息服务平台AndTech宣布，将于2026年5月14日举办一场关于半导体化学机械抛光（CMP）技术的深度在线研讨会。该活动旨在应对半导体微细化和高性能化进程中日益增长的技术挑战，汇聚了来自荏原製作所、岐阜大学、日揮触媒化成及大塚電子等机构的四位顶尖专家，围绕CMP技术的核心痛点进行系统性讲解。
本次讲座由AndTech主办，作为其R&D开发支援系列课程的一部分，特别针对日本半导体产业链中CMP工艺的复杂需求。日本作为全球半导体材料和设备的关键供应国，其企业在CMP浆料、抛光垫及清洗设备领域拥有深厚的技术积累。本次研讨会不仅涵盖基础理论，更侧重于解决实际操作中的材料去除机制不明、浆料分散性差等具体问题。
讲座首部分由荏原製作所的今井正芳主讲，重点解析CMP装置基础与后清洗技术。随着芯片结构从二维微细向三维复杂形态演进，对平坦度和缺陷控制的要求愈发严苛。演讲将深入探讨CMP后清洗与一般半导体清洗的本质区别，特别是针对铜（Cu）腐蚀等独特课题的解决方案，并展望2030年半导体市场趋势。
第二部分由岐阜大学畝田道雄教授带来关于材料去除机制的硬核解析。传统CMP理论对浆料磨粒如何作用于基板尚存未解之谜。该部分将展示利用接触图像解析法和原位观察技术，对CMP加工中接触界面进行的可视化研究成果。通过揭示浆料流动场、接触面积率与材料去除速率之间的定量关系，为理解精密研磨的物理化学机制提供实验依据。
第三部分聚焦研磨磨粒的开发与应用，由日揮触媒化成碓田真也氏主讲。在纳米级制程中，对磨粒的物性与功能匹配提出了极高要求。演讲将从材料供应商视角，剖析硅系磨粒（如胶体二氧化硅）的物理特性如何决定研磨性能，并详细阐述在磨粒搬运、分散及处理过程中的关键注意事项与潜在风险。
第四部分由大塚電子加藤丈滋氏主讲，深入探讨CMP浆料的分散性评估与静电相互作用。浆料的分散稳定性直接决定晶圆表面的缺陷率。讲座将介绍基于光散射法的粒径及Zeta电位（Zeta Potential）测量技术，解析如何通过控制静电相互作用来优化浆料分散性，并评估其对研磨速率及清洗效果的影响，为浆料品质管理提供科学指标。
此次日本行业专家对CMP全流程的深度剖析，从宏观工艺架构到微观界面现象，再到材料微观物性，构建了完整的技术认知闭环。对于中国半导体制造企业而言，在加速推进先进制程国产化的背景下，深入理解CMP工艺中浆料分散机理、界面去除机制及清洗去污的底层逻辑，是突破技术瓶颈、提升良率的关键。通过借鉴日本在精密材料表征与工艺机理研究方面的经验，有助于国内企业在材料配方优化与设备工艺调试中建立更科学的评估体系，从而在激烈的全球竞争中掌握核心技术主动权。
