半导体封装用玻璃基板正加速走向实用化。尽管该概念自25年前便受关注，但受限于硅基板的持续进化，此前并未大规模采用。风向转变的关键在于“芯片die大型化”与“光互连应对”两大挑战，这些是唯有玻璃基板才能解决的难题，且已迫在眉睫。
行业引领者英特尔计划于2030年左右实现量产应用。而HBM（高带宽内存）市场表现强劲的韩国SK集团，有望比英特尔更早实现玻璃基板适配。在玻璃加工技术与核心材料方面拥有优势的日本，FICT公司正推进多层玻璃核心开发，其业务走向备受瞩目。
英特尔披露的“玻璃基板+EMIB”技术旨在支撑其晶圆代工业务的重组。该技术的核心在于利用玻璃基板高效量产搭载GPU及HBM等大型芯片的芯粒（Chiplet）。面对AI芯片发热量大、需高密度封装的挑战，玻璃基板能有效抑制基板翘曲，并实现精细的布线宽度与间距。
在东京举办的第40届NEPCON Japan展会上，英特尔代工展示了其玻璃基板技术，旨在对抗台积电的CoWoS封装方案。该方案采用厚度800微米的玻璃核心，双面各设10层构建层，凸块间距为45微米，并成功抑制了制造过程中玻璃内部易产生的裂纹（背裂）。
芯片die大型化趋势不可逆转，预计2026年光罩曝光尺寸将扩大至8倍，2028年达12倍，未来更将增至40倍。同时，封装技术将向处理电信号与光信号融合的复杂形态演进。相比之下，同为代工巨头的台积电对玻璃基板持谨慎态度，认为尽管需要更大尺寸的核心基板，但加工难度与可靠性仍是玻璃的主要瓶颈。
玻璃基板开发始于20世纪90年代的美国，由3D System Scaling LLC创始人本基·桑达ラム推动。他重点关注HPC封装中的翘曲对策，指出玻璃基板可多次进行热压接合并形成光波导。业界普遍预测，2026年至2030年间，半导体巨头将开始利用玻璃基板进行量产。
韩国SK集团同样积极布局，预计2026年内即可投入生产。旗下拥有HBM龙头SK海力士的SK集团，其美国子公司Absolics已获美国《芯片法案》7500万美元资助，计划在佐治亚州亚特兰大建设玻璃基板工厂，以瞄准英特尔的订单需求。
面对海外势力的竞争，日本在封装技术与加工材料领域仍具优势。尽管日本缺乏大量消耗玻璃基板的本土用户，难以主导基板尺寸标准化，但FICT公司推出了独特的玻璃基板结构。不同于常见的在树脂布线层两侧堆叠玻璃核心的方案，FICT将带有微细布线的超薄玻璃基板本身进行多层堆叠。该方法能有效分散应力，抑制翘曲与背裂，提升贯通玻璃孔的可靠性，并便于实现器件集成与光/电融合。
随着英特尔、三星电子等巨头即将量产玻璃基板，FICT与Absolics等创新企业将迎来业务扩张的绝佳机遇。对于中国半导体产业链而言，玻璃基板技术的突破意味着封装环节将向更高密度、更低损耗演进，国内企业需密切关注材料工艺与设备端的协同创新，以在下一代先进封装竞争中占据主动，避免在技术迭代中落后于国际头部阵营。