日本半导体巨头罗姆公司（ROHM）于2026年4月2日正式宣布，其主导研发的8英寸次世代碳化硅（SiC）MOSFET技术目标已提前两年达成。该项目在新能源产业技术综合开发机构（NEDO）绿色创新基金支持下推进，原计划于2027年末完成，实际在2025年度即宣告研发成功，标志着日本在第三代半导体制造领域取得突破性进展。
罗姆自2022年4月起启动8英寸SiC MOSFET开发项目，作为NEDO“次世代数字基础设施构建”计划的核心课题之一。通过大口径晶圆化与工艺优化双重路径，公司成功攻克了8英寸SiC材料生长、外延层控制及低导通电阻等关键技术瓶颈。在福冈县筑后市的罗姆制造工厂，已建成全球领先的8英寸SiC器件量产线，实现了从材料到器件的全流程自主可控。
实测数据显示，基于该产线制造的8英寸SiC MOSFET在电力转换器应用中，相比传统硅基IGBT器件可实现
