日本半导体制造领域正面临微细化与高性能化的双重挑战，化学机械抛光（CMP）技术作为关键平坦化工艺，其精度控制与缺陷抑制成为行业焦点。日本AndTech公司将于2026年5月14日举办线上Zoom研讨会，邀请来自荏原製作所、岐阜大学、日揮触媒化成及大塚電子等机构的专家，系统解析CMP技术的核心原理与最新进展。
本次研讨会首部分由荏原製作所技术专家今井正芳主讲，重点阐述CMP装置基础结构与后清洗工艺的特殊性。随着芯片结构从二维微细化向三维复杂化演进，CMP后清洗需应对铜腐蚀、颗粒残留等独特挑战。演讲将对比一般半导体清洗与CMP后清洗的差异，解析2030年SEMI市场趋势下的技术演进路径。
第二部分由岐阜大学畝田道雄教授深入剖析材料去除机制。传统CMP理论对砥粒与基板相互作用的理解尚存盲区，该部分将展示基于接触图像解析法与原位观察技术的最新研究成果。通过可视化接触界面中浆料行为，揭示接触面积率与材料去除速率的定量关系，为优化抛光垫与浆料匹配提供实验依据。
第三部分聚焦研磨砥粒开发。日揮触媒化成碓田真也氏将从材料厂商视角，解析硅系砥粒的物性与功能关联。针对纳米级硅颗粒在浆料中的分散稳定性、表面改性及操作注意事项，提出具体解决方案。该环节特别强调胶体硅在提升研磨速率与抑制缺陷方面的关键作用。
第四部分由大塚電子加藤丈滋氏主讲浆料分散性评价技术。通过动态光散射与电泳光散射法，详解浆料粒径分布、Zeta电位测量及静电相互作用评估方法。这些参数直接影响浆料分散稳定性与晶圆表面质量，是开发高品质抛光液的核心指标。演讲将结合盐浓度、pH值等变量对分散性的影响案例，提供可落地的质量控制方案。
日本在CMP细分领域已形成从设备、材料到检测的完整技术生态。荏原製作所等本土企业长期深耕半导体清洗设备，岐阜大学在界面现象研究方面积累深厚，而日揮触媒化成与大塚電子则分别在砥粒合成与精密测量领域占据技术高地。这种产学研协同模式，使日本在CMP关键材料与技术标准制定上保持全球竞争力。
