默克在韩国阴城郡投产半导体材料基地 聚焦钼前驱体本地化供应

默克集团于10月22日在韩国忠清北州阴城郡正式启用一座半导体材料生产基地,旨在为周边芯片制造商供应二氯化钼前驱体,并依托“本地化供应”策略强化其在韩国半导体产业链的布局。

该基地主要生产用于化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)的二氯化钼等特种前驱体溶液。默克表示,新设施将把材料与公司的CHEMKEEPER Vapor 200输送系统、计量及检测能力相结合,提供一体化解决方案。默克称,该方案旨在支持半导体大规模制造,提升工艺效率,并将材料利用率提高至99%。

随着芯片厂商越来越多地采用垂直堆叠的3D NAND架构,钼材料正受到市场关注。传统上用于控制存储单元操作的金属电极多采用钨,但随着半导体结构日益复杂且空间受限,业界对更低电阻材料的需求上升。默克电子业务负责人宾·韩指出,钼在更小的半导体结构中相比钨具有优势,因其可省去高电阻阻挡膜,从而为导电留出更多空间。目前钼主要应用于NAND闪存,未来潜在应用有望扩展至DRAM和逻辑半导体领域。

默克新任电子业务首席执行官·海恩在开业仪式前表示,客户越来越倾向于获得由本地团队背书的集成解决方案,而非单独采购前驱体、包装或第三方服务。“客户期望我们提供一体化的交付方案,并在现场快速解决问题。”他强调,本地化执行是满足客户即时需求的关键。

出于客户保密协议,默克未披露该基地的具体投资金额与产能规模。海恩透露,基地生产的解决方案预计将于今年晚些时候开始向客户供货。他同时指出,韩国芯片设计日益复杂,市场需求潜力巨大,若未来五年内韩国芯片厂商的部分规划落地,将为默克带来显著增长。此外,默克还宣布将在大田广域市开设一座大型生物加工中心。

资料来源:The Korea Times;原文发布日期:2026-10-22。本文为资料编译。

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