干法沉积a ZIF光刻胶在EUV与电子束下呈现不同线型转换特性

荷语鲁汶大学(KU Leuven)、韩国群山国立大学、布鲁塞尔自由大学(VUB)及imec等研究团队于2026年10月在《ACS Applied Materials & Interfaces》发表论文,报道了一种完全通过干法工艺沉积的卤化无定形沸石咪唑酯骨架(a-ZIF)金属有机光刻胶。该材料在极紫外(EUV)与电子束(E-Beam)曝光条件下,呈现出显著的光源依赖性线型转换(tone conversion)行为。

干法沉积金属有机光刻胶被视为下一代半导体先进图形化工艺的关键使能技术。研究指出,全干法制备的a-ZIF光刻胶避免了传统湿法工艺的溶剂残留问题,其线型转换特性随辐照源类型发生明显变化,为电子束与极紫外光刻的差异化工艺开发提供了新材料基础。

资料来源:Semiconductor Engineering;原文发布日期:2026-10-25。本文为资料编译。

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