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以上各相的交链磁通用“式2”表示，电流i用“式3”表示：上式中，KK3为基波和三次谐波的系数。转子以同步速度转动，下式成立：θ=ωt-δ根据以上式子，各相转矩合成的三相电机转矩如下式所示：即三相电机的转矩K3项消去，不受磁通三次谐波的影响，不含成为一恒定转矩。另一方面，两相电机的情形也同样变成如下式所：根据上式，两相合成转矩的两相式细分驱动时的转矩T2变成下式：根据上式，第1项为一恒定转矩，第2相为含ω的振动转矩。
3专用保护线PE不许断线，也不许进入漏电开关。4干线上使用漏电保护器，工作零线不得有重复接地，而PE线有重复接地，但是不经过漏电保护器，所以TN-S系统供电干线上也可以安装漏电保护器。5TN-S方式供电系统安全可靠，适用于工业与民用建筑等低压供电系统。在建筑工程工工前的“三通一平”（电通、水通、路通和地平）——必须采用TN-S方式供电系统。2005临时用电安全技术规范要求TN-S接零保护系统必须配电室或总配电箱处做重复接地，首未端做重复接地，重复接地电阻值小于10Ω。
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品牌： |
高价回收工厂过期库存呆料IC二三极管 |
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型号： |
高价回收二三极管 高价回收继电器 高价回收电子元器件 库存呆料 |
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封装： |
回收IC 二三极管模块等电子元件 |
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批次： |
专业回收IC公司 |
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数量： |
88888 |
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RoHS： |
是 |
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产品种类： |
电子元器件 |
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工作温度： |
-20C |
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工作温度： |
100C |
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电源电压： |
3V |
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电源电压： |
8V |
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长度： |
6mm |
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宽度： |
1.6mm |
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高度： |
1.5mm |
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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。