意法半导体(stmicroelectronics，简称st;纽约证券交易所代码：stm)针对汽车市场推出了新系列高压n沟道功率mosfet。新产品通过aec-q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的mdmeshtm dm2超结制造工艺，击穿电压范围为400v至650v，可提供d2pak、to-220及to-247三种封装。
400v和500v两款新产品是市场上同级产品中首个获得aec-q101认证的功率mosfet，而600v和650v产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计，内部集成快速恢复体二极管(fast body diode)、恢复软度系数更高的换向行为(commutation behavior)和背对背栅源齐纳(gate-source zener)二极管保护功能，是全桥零压开关拓扑的理想选择。
意法半导体的新功率mosfet是汽车市场上trr(反向恢复时间) / qrr(反向恢复电荷)比和恢复软度系数表现最好的功率mosfet，同时也拥有最出色的高电流关断能量(eoff)，有助于提高汽车电源能效。此外，内部快速体二极管的性能表现亦十分出色，有助于降低emi电磁干扰，让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波器件。mdmeshtm dm2技术通过这种方式让电源设计变得更环保、能耗更低，从而使能效最大化、终端产品的尺寸最小化。
意法半导体的新款车用功率mosfet拥有以下主要特性：
· 快速恢复体二极管
· 极低的栅电荷量及输入电容，500v d2pak产品的栅电荷量及输入电容分别为44nc和 1850pf
· 低导通电阻
· 最短的trr(反向恢复时间)：600v to-247在28a时是120ns;650v to-247在48a时是135ns
· 栅源齐纳二极管保护
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