回收MFI341S2162，回收MFI341S2164，回收MFI341S2500，ESQ-120-14-G-D1812 473J NPO 250V 2.5T UMK107CG391JZ-B UMK107CG391JZ-B UMK107CG391JZ-B1210 X7R 500V 473K TS5A23159DGSRG4 TS5A23159DGSRG4 TS5A23159DGSRG4VSC7182TW-01 VSC7182TW-01 VSC7182TW-01EL5000AER回收MFI341S2313，回收MFI341S2160，回收MFI341S2095，回收MFI341S2161，回收MFI341S1978，回收MFI341S2161，回收MFI341S2646，回收MFI341S2159，回收MFI341S2592，回收MFI341S3959，回收现代字库H9TP32A4JDMCPR-KGM
16ZLH1000MT81016CSR蓝牙芯片、蓝牙模块、新旧带板均可CL10B472KBNC回收德州IC 回收电源集成电路IC专业回收74系类贴片直插IC高价收购贴片IC, 直插IC环保IC回收公司过期电子IC TDA1540P回收现代字库H9TP32A8JDMCPR-KGM35TZV100M8X10.5 Samsung（三星）：PC5300 DDR2 667 512M/1GB/2GB/4GB台式机笔记本内存条SIS矽统南桥芯片：HEF4046ATF22V10BQL-20JCDF06S25YXA3300MCC16X25
回收三星字库KMNJS000ZM-B205
回收三星字库回收KMKJS000VM-B309
回收东芝字库回收THGBM5G7ABAIR
回收现代字库回收h9DP32A4JJMCGRKEM Ti（德洲仪器）：K6X0808C1D-GF55wireless sierra 3G模块MC5725.MC8201.MC8780、MC8781、MC8790、MC8791V、MC8795V.MC8700，MS8775，option 3G模块GTM378 GTM380、GTM382.
回收三星字库回收KMKJS000YA-B309
回收字库回收KMN5U000ZM-B203
回收闪迪字库回收KMK7X000VM-B314
回收KMK5X000VM-B314手机字库
回收KMK7U000VM-B309专业
回收KMS5X000KM-B313高价
回收KMVTU000LM-B503专业
回收KMK5W000VM-B312
长期回收KMI8U000MA-B605
中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和，即有βIbIes在.21中假设Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少提供1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能提供20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。