2025深圳国际集成电路展览会
2025 Shenzhen International Integrated Circuit Expo
时间：2025年4月9-11日
地点：深圳会展中心(福田)
参展联络：徐妍（手机号看联系栏）
科技创新“圳"在变革
※ 展会介绍
集成电路(简称IC、芯片)作为信息技术的核心，是支撑社会经济发展和国家安全的战略性、基础性和先导性产业，已广泛渗透与融合到国民经济和社会发展的每个角落，是《中国制造2025》的重要组成部分，是实现数字中国和智慧社会发展战略的支撑力量。集成电路已经在各行各业中发挥着非常重要的作用，是现代信息社会的基石。随着5G、人工智能、物联网、无人驾驶等新兴科技的快速发展，我国IC产业呈现出新一轮创新活力。在市场拉动和政策支持下，我国集成电路产业快速发展，整体实力显着提升，已经成为全球规模大、增速快的集成电路市场，随着数字中国和智慧社会战略目标的加快推进，国家促进集成电路产业政策环境不断完善，以协同创新、开放合作、智能应用、深度融合为特征的中国集成电路产业正呈现出全新格局，产业平稳快速增长，技术创新持续活跃，兼并重组不断深入，产融结合日益密切，市场需求广泛拓展，国际联动发展显著。国家集成电路产业投资基金撬动作用显现，地方性基金相继设立，有效带动一批重点项目投资。伴随全球集成电路产业进入深度调整与转折期，中国集成电路产业将迎来实现“华丽转身”的重要机遇期。
深圳作为我国规模超大、整体水平较高的电子信息产业的重要基地之一，是全国较具影响力的集成电路应用市场。深圳的集成电路产业多年来一直保持高速增长，特别是IC设计产业一直位于全国前列。产业集群优势凸显，在无人机、汽车电子、安防、物联网、手机、消费及穿戴电子、家电、电源、5G通信等有着数万家企业聚集。芯片半导体产业应用优势明显。为促进集成电路行业新产品、新技术、新材料、新工艺及新装备的推广应用与经贸交流，2025深圳国际集成电路展览会将于2025年4月9-11日在深圳会展中心盛大举办，展会隶属于第十三届中国电子信息博览会专题专区展之一，专注于为集成电路企业品牌推广、产品展示、交流合作提供一站式解决方案平台，助力企业实现全产业链的交流和互通。作为兼具规模和影响力的集成电路产业品牌盛会，展会遵循市场发展趋势，给集成电路行业创造提升品牌名度和开拓市场的一个契机。充分发挥其传递市场信息与交流先进技术的窗口作用，把脉行业发展方向，直击产品热点、精準采購对接。共享国际化大平台，共拓集成电路大市场，让我们携手同行，共创商机，共同推动中国IC产业创新发展。
※ 展会亮点
◆ 科技协同创新：发挥粤港澳大湾区城市群效应，为产业链打造创新升级环境，实现从“世界工厂”向“广东创造”转变，建设成新一代集成电路产业集群；实现科技与产业经济与地域经济的相促进。
◆ 发掘产业趋势，共铸市场先机：把握集成电路产业协同创新要求高、产值体量大、涉及范围广等特点，积极贯彻落实“逐步形成以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局”，促进中国企业与“一带一路沿线”和发展中国家进行高效的产品流通和输出、共享优势产能，共谋合作发展。
◆ 集合消费电子科技产品：汇聚海内外集成电路产业中高新技术企业及各类高新技术产品集中展示，为各方创造项目合作、品牌建设、技术引导及投融资对接机会。
◆ 营造科技应用场景体验，引爆新传播潮流：突破传统展览闭环，导入市场新传播矩阵，沉浸式观展体验，同期热点营造话题引爆流量。
※ 参展商免费八大增值服务
1、精準采購对接会：组委会跟据买家需求采取线下+线上的形式提供采購供需配对服务，全方位、精细化为参展企业提供商贸机会。CITE 2025组委会计划举办百余场海外采購供需对接会，赋能企业打开国际市场。
2、新产品与新技术发布会：组委会审核通过后，参展商可免费在展会期间进行新产品、新技术发布，可享受组委会提供发布场地、舞台、灯光、协助邀请观众、相关宣传等服务。
3、CITE 2025新产品与应用奖：参展商均有资格参与评选，评选结果将在展会期间发布。
4、媒体专访报道：组委会携手数十家媒体，充分利用博览会丰富的媒体资源，通过现场直播、媒体采访、KOL直播逛展、行业媒体报道等强强联合的形式 , 打造CITE星企业和产品的影响力。
5、行业社群平台推广：CITE深耕电子信息行业十二载，目前拥有20+行业社群，参展企业可免费加入，可在社群平台进行展品宣传、对接买家需求及拓展人脉。
6、参展新品推文发布：组委会将通过官方微信公众号、官方微博等新媒体渠道进行发布，以助力企业获得更多的曝光机会，提升品牌名度。
7、定制化海报邀请函：为定制化服务参展商，组委会免费制作精美个性化邀约海报，无需参展商自行设计。
8、视频宣传报道：为了增强VIP参展商的宣传效果，参展商可提供视频相关资料，组委会根据素材进行專业编辑，经参展商确认后，将在视频号、DY等官方视频矩阵平台上发布。
※ 展品范围
◆ 集成电路产品：模拟集成电路、数/模混合集成电路，包括微处理器、存储器、FPGA、分立器件、光电器件、功率器件、传感器件等主流产品和技术。
◆ 集成电路制造：芯片制造、封装测试、半导体专用设备和材料。
◆ 集成电路应用：人工智能、物联网、智慧城市、智能家居、智能终端、汽车电子、LED、健康医疗等智能化应用类。
欢迎业界同仁踊跃报名参展，现正接受申请，请速与我们联系，索取参展合同及展位平面图！充分利用CITE 2025，巩固您的市场地位！
知识科普：
功率电子器件
（1）整流二极管：
二极管是功率电子系统中不可缺的器件，用于整流、续流等。目前比较多地使用如下三种选择：
1、高效快速恢复二极管。压降0.8-1.2V，适合小功率，12V左右电源。
2、 高效超快速二极管。0.8-1.2V，适合小功率，12V左右电源。
3、肖特基势垒整流二极管SBD。0.4V，适合5V等低压电源。缺点是其电阻和耐压的平方成正比，所以耐压低（200V以下），反向漏电流较大，易热击穿。但速度比较快，通态压降低。
目前SBD的研究前沿，已经超过1万伏。
（2）大功率晶体管GTR
分为：
单管形式。电流系数：10-30。
双管形式——达林顿管。电流倍数：100-1000。饱和压降大，速度慢。下图虚线部分即是达林顿管。
实际比较常用的是达林顿模块，它把GTR、续流二极管、辅助电路做到一个模块内。在较早期的功率电子设备中，比较多地使用了这种器件。图1-2是这种器件的内部典型结构。两个二极管左侧是加速二极管，右侧为续流二极管。加速二极管的原理是引进了电流串联正反馈，达到加速的目的。这种器件的制造水平是1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz左右。
（3）可控硅SCR
可控硅在大电流、高耐压场合还是必须的，但在常规工业控制的低压、中小电流控制中，已逐步被新型器件取代。
目前的研制水平在12KV/8000A左右（参考）。
由于可控硅换流电路复杂，逐步开发了门极关断晶闸管GTO。制造水平达到8KV/8KA，频率为1KHz左右。
无论是SCR还是GTO，控制电路都过于复杂，特别是需要庞大的吸收电路。而且，速度低，因此限制了它的应用范围拓宽。
集成门极换流晶闸管IGCT和MOS关断晶闸管之类的器件在控制门极前使用了MOS栅，从而达到硬关断能力。
（4）功率MOSFET
又叫功率场效应管或者功率场控晶体管。
其特点是驱动功率小，速度高，安全工作区宽。但高压时，导通电阻与电压的平方成正比，因而提高耐压和降低高压阻抗困难。
适合低压100V以下，是比较理想的器件。
目前的研制水平在1000V/65A左右（参考）。商业化的产品达到60V/200A/2MHz、500V/50A/100KHz。是目前速度快的功率器件。
（5） IGBT
又叫绝缘栅双极型晶体管。
这种器件的特点是集MOSFET与GTR的优点于一身。输入阻抗高，速度快，热稳定性好。通态电压低，耐压高，电流大。目前这种器件的两个方向：一是朝大功率，二是朝高速度发展。大功率IGBT模块达到1200-1800A/1800-3300V的水平。速度在中等电压区域（370-600V），可达到150-180KHz。它的电流密度比MOSFET大，芯片面积只有MOSFET的40%。但速度比MOSFET低。尽管电力电子器件发展过程远比我们现在描述的复杂，但是MOSFET和IGBT，特别是IGBT已经成为现代功率电子器件的主流。