较小的交叉导通：FET在关断状态下具有很高的绝缘电阻，可以有效减少来自其他电路元件的交叉导通噪声。
优质材料和制造工艺：FET的噪声性能还与所使用的材料和制造工艺有关。高品质的材料和确的制造工艺可以降低器件本身的噪声水平。
总的来说，FET的噪声低主要归因于其高输入阻抗、无内部电流噪声、较低的热噪声、较小的交叉导通以及优质的材料和制造工艺。
这些特性使得FET成为许多高灵敏度和低噪声应用中的理想选择，例如放大器、低噪声放大器、射频前端等。在汽车行驶过程中，速度越快，金属噪声（例如风噪声和机械噪声）往往会越大。
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