回收IC集成电路FLASH闪存、SDRAM、DRAM、SRAM、DDR、DDR2、DDR3、RAM、Memory内存及MCU单片机、内存条等存储器，CPU主控、BGA、手机IC、蓝牙IC、平板电脑IC、数码相框IC、数码相机IC、监控IC、电脑IC、IC、摄像头IC、家电IC、数码IC、车载IC、通信IC、通讯IC等产品类IC，SPHE系列、SAA系列、XC系列、RT系列、TDA系列、CS系列、EPM系列
江波龙获得一项发明专利授权，专利名为“一种DRAM的电压控制电路、内存条及电子设备”，专利申请号为CN202010167846.X，授权日为2024年5月14日。专利摘要：本申请提供一种DRAM的电压控制电路，包括：单片机，与内存条上的SPD芯片连接；调压电路，与所述单片机连接，并与所述内存条上的至少一个DRAM连接，用于响应所述单片机的指令，对所述至少一个DRAM中的一个的电行调压。本申请实现了对DRAM的电压控制，无需在DRAM内单独设计调压电路，实现简单，成本低且周期短，并且通过相互连接的单片机和调压电路，大大提高DRAM颗粒运行的稳定性和兼容性。今年以来江波龙新获得专利授权13个，较去年同期增加了62.5%。结合其2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了5.94亿元，同比增66.74%。
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下图描述了两相HB型步进电机的工作原理。永久磁铁使转子产生N极和S极，由吸引力和排斥力产生电磁转矩，两相绕组假设为A相、B相、“杠A”相、“杠B”相。，A相和“杠A”相接通电源，根据右手螺旋法则产生相反的磁场。同样，B相与“杠B”相也是如此。图中，实线箭头表示转子磁通，虚线表示为其磁路磁通Фm。从转子磁铁的轴向图看，转子N极通过气隙向下进入定子，通过定子磁极轴向穿过铁心到达上面的定子磁极后，穿过气隙回到转子S极。
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