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三星电子和英特尔等半导体公司正在研究定向自组装 (DSA) 技术，以补偿极紫外 (EUV) 工艺过程中出现的图案错误。DSA是下一代图案化技术之一，这一技术有望补充 EUV 过程中出现的随机误差。随机是指随机且非重复的图案错误，已知占 EUV 图案错误的 50%。业界预测，DSA技术将从使用High-NA EUV的1.4nm工艺和10nm以下的DRAM工艺开始正式引入。英特尔代工旗下逻辑技术开发部门光刻、硬件和解决方案主管Mark Philip日前表示，“使用 DSA（高数值孔径 EUV）的研究正在进行中，通过应用 DSA，我们正在改进模式粗糙度（LER）。”英特尔在近期的中表示，其将 DSA 技术应用于 18nm 以下工艺，并成功纠正了 EUV 图案中发生的随机误差。
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回收陀螺仪，六轴陀螺仪，角度传感器，距离传感器，博世传感器，温度传感器，光线传感器，三轴陀螺仪，九轴陀螺仪等。
回收贴片电容，直插电容，安规电容，陶瓷电容，电解电容，钽电容，磁珠，电感，电阻，晶振，直插晶振，贴片晶振，32.768MHZ，低压电容，大电解电容，热敏电阻，光敏电阻等。
回收4G模块，3G模块，GPRS模块，通信模块，发射模块，功率模块，蓝牙模块，wi-fi模块，无线模块，电源模块，光纤模块，IG模块等。
回收高频管，IG管，晶体管，MOS管，场效应管，三极管，二极管，贴片三极管，直插三极管，进口三极管，国产三极管，激光管，发射管，红外管，数码管等。
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15056-064G
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中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和，即有βIbIes在.21中假设Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，当集成电路控制端为+VCC时，应能至少提供1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路，而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求，但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能提供20mA的驱动电流(这里说的是漏电流))，则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。
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