针对半导体集成电路部件生产产生的电镀废水、酸碱废水，研究流量控制、药剂用量、反应搅拌强度，提出合理的处理工艺，确保废水处理符合排放标准。
半导体清洗废水处理设备主要采取的处理工艺：
二次反应一级凝固十一级沉淀，系统流出离子浓度基本满足L要求。如果增加次沉淀，作为第二反应沉淀次反应沉淀的第二阶段沉淀反应，系统流出离子浓度可以控制在10毫克。
浓氨不脱吸收工艺-含溴废水的第二阶段沉淀工艺(含溴废水和CMP研磨废水混合处理)-三级酸碱和处理工艺。
直接投入二级反应组、酸碱原液，运行水不稳定，药剂消耗大。
反冲洗过滤器是利用过滤器直接拦截水中杂质，去除水体悬浮物、颗粒物，降低浊度，净化水质，减少系统污垢、菌藻、腐蚀等，净化水质，系统其他设备正常运行的设备。反冲洗过滤器处理的水质不仅达到国家规定的废水排放标准，反冲洗过滤器处理的水源还可以重复使用，可以回收利用，从而节约水资源。
在半导体制造技术中，通过一系列的光刻、刻蚀、沉积、离子注入、研磨、清洗等工艺形成具有各种功能的半导体芯片，然后将所述半导体芯片进行封装和电性测试，并终形成终端产品。
目前，在半导体芯片的制造过程中，会产生大量的工业废水且芯片制造生产工艺复杂，包括硅片清洗、化学气相沉积、刻蚀等工序反复交叉，生产中使用了大量的化学试剂如HF、H2SO4、NH3・H2O等。所以一般芯片制造废水处理系统有含氨废水处理系统+含氟废水处理系统+CMP。
在现有的废水处理过程中，通常单独使用序列间歇式活性污泥法(SBR)或生物接触氧化法或曝气生物滤池(BAF)，均只能对废水进行单一的处理，例如为过滤或微生物反应或去除毒性等，由于处理方式过于单一，这常常导致过滤物质很快堵塞的问题。因此，废水处理仍有改善的空间。