4种常用的MOS管的驱动电路，让你开关电源设计手到擒来！
1. 电源 IC 直接驱动
电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，达不到想要的效果。
2.推挽驱动
当电源IC的驱动能力不足时，可以采用推挽驱动方式。这种驱动电路的好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
3.加速关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。
为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使得关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断时的电流过大，把电源IC给烧掉。
4隔离驱动
为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。其中R1的目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止碰芯饱和。