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三极管、MOS管和IGBT如何区分?

更新:2024-11-18 18:56 发布者IP:113.116.32.11 浏览:0次
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在现代电子中,三极管、MOS管和IGBT是电子人口中的“常客”,但有很多人还傻傻分不清,尤其是电子新手,今天就跟着小编重新认识一下它们吧!

三极管

从符号上来看,三极管有C、B、E三个极,分别指集电极、基极和发射极, 它的主要作用是小电流控制大电流。三极管是一种电流控制型元件,当半导体基极输入很小的电流时,集电极到发射极的电流会成倍增加,当基极电流为零时,集电极与发射极的电流将截止。三极管常用在电子产品的控制电路,信号放大电路等。


三极管_副本.png

MOS

MOS管也有三个极,分别是漏极D、栅极G和源极S,它利用电压来决定漏极与源极的通断,是一种电压控制型元件。如果给栅极一个电压,漏极和源极就会互通,但当栅极电压为零时,漏极与源极就会截止。此外,MOS管的频率可以达到千赫兹到兆赫兹。在大电压的情况下,内阻高只能降低功率,MOS管常用在频率高,电压要求低的电路中,如开关电源、车载充电机等。


MOS管-.png

IGBT

IGBT是MOS管和三极管的综合体,也是电压控制型半导体。它是通过电压控制集电极与发射极的通断频率。IGBT无法做到MOS管的超高频率,但在大电压下内阻不变输出功率大,新能源汽车中电机控制器,空调压缩机内部用的就是IGBT半导体。


IGBT.jpg


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