芯片失效分析
失效分析属于芯片反向工程开发范畴。芯片失效分析主要提供封装去除、层次去除、芯片染色、芯片拍照、大图彩印、电路修改等技术服务项目。公司专门设立有集成电路失效分析实验室，配备了国外先进的等离子蚀刻机（RIE）、光学显微镜、电子显微镜（SEM）和聚焦离子束机（FIB）等设备，满足各项失效分析服务的要求。
公司拥有一套完善的失效分析流程及多种分析手段，全方位保证工程质量及项目文件的准确无误。
失效分析流程：
1、外观检查，识别crack，burnt mark等问题，拍照。
2、非破坏性分析：主要用xray查看内部结构，csam—查看是否存在delamination
3、进行电测。
4、进行破坏性分析：即机械机械decap或化学decap等
常用分析手段：
1、X-Ray 无损侦测，可用于检测
* IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性
* PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接
* 开路、短路或不正常连接的缺陷
* 封装中的锡球完整性
2、SAT超声波探伤仪/扫描超声波显微镜
可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如﹕
晶元面脱层
锡球、晶元或填胶中的裂缝
封装材料内部的气孔
各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞
3、SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪
可用于材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸
4、三种常用漏电流路径分析手段：EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测
EMMI微光显微镜用于侦测ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的异常。
OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析.利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等；也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。
LC可侦测因ESD,EOS应力破坏导致芯片失效的具体位置。
5、Probe Station 探针台/Probing Test探针测试，可用来直接观测IC内部信号
6、ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试
7、FIB做电路修改
FIB聚焦离子束可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改, 在时效和成本上具有非常明显的优势.
此外，公司技术团队还积累了诸如原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等多种复杂分析手段。
服务项目：
封装去除
利用先进的开盖设备和丰富的操作经验，能够安全去除各种类型的芯片封装，专业提供芯片开盖与取晶粒服务。
芯片开盖
开盖机
层次去除
采用先进的刻蚀设备和成熟的刻蚀方法，专业提供去除聚酰亚氨（Polyimide）、去除氧化层（SiO2）、去除钝化层（Si3N4、SiO2）、去除金属层（Al 、CU、W）等芯片去层次技术支持与服务，承诺以完美的刻蚀效果为客户提供专业的芯片处理。
芯片染色
阱区染色：模拟类型芯片进行反向分析往往需要分析P阱和N阱的分布情况，因此需要对芯片进行阱区染色，把P阱和N阱用不同的颜色加以区分。
阱区染色
ROM码点染色：ROM存储模式中有大部分是利用离子注入的方式来区分0和1，当读取ROM中的0和1代码时，就需要对芯片进行染色以区分0和1。
芯片拍照
为保证良好的拍照效果，我们采用先进光学显微镜和电子显微镜，能够拍摄90nm工艺以上的各种芯片的图像。同时，我们免费为客户进行图像的三维拼接，能够大带同层图像完整无缝、异层图像精确对准的效果。
0.35u工艺图像
0.18u工艺图像
异层照片精确对准，印刷后的大图严格保留着芯片层间对准关系，提图时可以很方便地进行通孔定位。
精确放大倍率，1um在放大1000倍时，在照片上就是严格的1mm，从而保证精确快捷地测量器件的尺寸。
定位线和微米尺，每幅大图边框上绘制了以微米为单位的坐标系和半透明定位线，以方便用户测量和定位。
电路修改
我们利用先进的聚焦离子束机（FIB）通过刻蚀和沉积的方法能够修改多层布线的集成电路芯片。主要服务项目包括集成电路芯片引线修改（能够修改最小工艺为90nm）；集成电路芯片材料和成分鉴定；微电路故障分析（最小尺寸为40nm）；制作纳米级的光电子器件、生物传感器件和超到电子器件等。