首要，非阻隔驱动模块全体都在一致硅片上，因而耐压无法超出硅工艺，大多数非阻隔驱动器的作业电压都不超过 700 伏。其次，当高侧功率管关闭而低侧功率管打开时，由于寄生电感效应，两管之间的电压可能会泛起负压，而非阻隔驱动耐负压能力较弱，所以假设选用非阻隔驱动，钽电容应特别留心两管间电路设计。
首要，在功率晶体管开关过程中，电容充放电会在输出端产生较高的电压与电流，高电压与高电流一起存在时，会形成相称大的开关损耗，降低电源功率。因而，钽电容在和晶体管之间引进驱动器，可以放大的驱动信号，从而更快地对功率管栅电容进行充放电，来缩短功率管在栅的上电时间，降低晶体管损耗，前进开关功率。其次，更大的电流可以前进开关频率，开关频率前进今后，钽电容可以运用更小的磁性器材，以降低本钱，减小产品体积。钽电容对于功率管添加驱动的方式有两种，一种长短阻隔驱动，一种是阻隔驱动。传统电路里边常常见到非阻隔驱动，在高压应用中一般选用半桥非阻隔驱动，该驱动有高低两个通道，低侧是一个俭朴的缓冲器，一般与控制输入有相同的接地点；高侧则除了缓冲器，还包含高电压电平转换器。非阻隔驱动有良多局限性。
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