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钽电容封装E壳

更新:2020-12-19 14:45 浏览:3次
钽电容封装E壳

首先,钽电容的计划传输推迟较大,通常在百纳秒以上。在钽电容的计划中,LED将信号转换为光信号,再经过光电二极管等电路转换为待测,钽电容是依据结构规划的不同,常见的光耦传播推迟在几百纳秒乃至微秒级。高速光耦经过优化内部寄生参数、添加LED驱动强度等规划,可在几十纳秒时刻内接通和断开,但本钱会上升良多。钽电容是传统的阻隔方式,但与数字阻隔比较,光耦阻隔在机能和面积上都不占优势。钽电容的计划的传播推迟乃至不如非阻隔驱动。在非阻隔驱动中,因为添加添加了速度较慢的高电压电平转换器,以及去毛刺和滤波电路,常见推迟时刻可达到100纳秒,因为低侧要与高侧匹配,所以要在低侧添加一个单独的推迟时钟,整个体系传播推迟在100纳秒左右。钽电容的驱动经过上百兆高频载波编,开关只需几纳秒乃至更短的时刻。但因为内部逻辑推迟和去毛刺滤波规划,所以推迟到几十纳秒。以纳芯微 钽电容为例,阻隔驱动传输推迟典型值是在25纳秒,值不超过纳秒。光耦计划脉宽失真较大。因为光电中的LED敞开和关闭时刻并不老是对称,且温度越高不合错误称越严峻,所以光耦脉宽失真比较严峻,光耦计划脉宽失真范围从几十纳秒到几百纳秒。比较非阻隔驱动,阻隔驱动就有良多优势,这里以数字阻隔驱动来做说明。

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