首先，钽电容的计划传输推迟较大，通常在百纳秒以上。在钽电容的计划中，LED将信号转换为光信号，再经过光电二极管等电路转换为待测，钽电容是依据结构规划的不同，常见的光耦传播推迟在几百纳秒乃至微秒级。高速光耦经过优化内部寄生参数、添加LED驱动强度等规划，可在几十纳秒时刻内接通和断开，但本钱会上升良多。钽电容是传统的阻隔方式，但与数字阻隔比较，光耦阻隔在机能和面积上都不占优势。钽电容的计划的传播推迟乃至不如非阻隔驱动。在非阻隔驱动中，因为添加添加了速度较慢的高电压电平转换器，以及去毛刺和滤波电路，常见推迟时刻可达到100纳秒，因为低侧要与高侧匹配，所以要在低侧添加一个单独的推迟时钟，整个体系传播推迟在100纳秒左右。钽电容的驱动经过上百兆高频载波编，开关只需几纳秒乃至更短的时刻。但因为内部逻辑推迟和去毛刺滤波规划，所以推迟到几十纳秒。以纳芯微 钽电容为例，阻隔驱动传输推迟典型值是在25纳秒，值不超过纳秒。光耦计划脉宽失真较大。因为光电中的LED敞开和关闭时刻并不老是对称，且温度越高不合错误称越严峻，所以光耦脉宽失真比较严峻，光耦计划脉宽失真范围从几十纳秒到几百纳秒。比较非阻隔驱动，阻隔驱动就有良多优势，这里以数字阻隔驱动来做说明。
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