日本东京——三菱电机公司宣布，将于11月14日起开始向客户寄送用于电动汽车（xEV）驱动电机逆变器的碳化硅（SiC）MOSFET裸片样品。作为该公司首款符合标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，这一新品旨在应对xEV逆变器多样化的市场需求，并助力电动汽车的普及。该芯片结合了三菱电机独有的芯片结构与制造工艺，通过提升逆变器性能、延长续航里程及优化能源效率，为交通领域的脱碳目标贡献力量。
此次推出的新型功率半导体芯片采用了三菱电机自主研发的沟槽型SiC-MOSFET技术。与传统的平面型SiC-MOSFET相比，其功率损耗降低了约50%。得益于包括抑制功率损耗和导通电阻波动的栅氧化膜工艺在内的独家制造技术，该芯片实现了长期的运行稳定性，不仅提升了逆变器的耐用性，也进一步保障了xEV的整体性能表现。
在产品特性方面，三菱电机将其在硅基功率半导体芯片制造中积累的先进微型化技术应用于此次新品，有效降低了导通电阻。同时，通过采用斜向离子注入工艺替代传统的垂直离子注入，显著减少了开关损耗。这些技术突破使得功率损耗大幅降低，直接转化为逆变器性能的优化、续航里程的延长以及用户用电成本的下降。
日本作为全球半导体技术强国，在功率器件领域长期占据重要地位，尤其在新能源汽车产业链中，本土企业如三菱电机、东芝等正加速从传统硅基向第三代半导体材料转型。此次三菱电机的新品发布，反映了日本企业在碳化硅技术上的深厚积累，也预示着全球电动车核心零部件正朝着更高能效、更小体积的方向快速演进。对于中国从业者而言，这一技术路径的成熟进一步验证了碳化硅在提升电动车续航方面的关键作用，未来在供应链合作或技术对标中，应重点关注此类高能效功率器件的迭代趋势及其对整车成本结构的影响。