意法半导体（STMicroelectronics）近日发布了一款先进的碳化硅（SiC）功率MOSFET新产品系列，旨在帮助电源设计人员在光伏逆变器、电动汽车、企业计算及工业电机驱动等应用中大幅提升能源效率。作为全球首批量产此类器件的厂商之一，意法半导体成功将行业最高温度评级提升至200°C。
碳化硅材料的特性使其能够节省至少50%的能量，这些能量在传统硅基功率晶体管中通常会被浪费。此外，该器件在保持高击穿电压的同时，体积可显著缩小。业界普遍认为，这项技术对于持续提升系统能效、实现设备小型化以及降低成本至关重要。
在计算机房和数据中心领域，高昂的能源成本正促使电源效率成为IT主管的首要关注点。用SiC器件替换传统硅开关，有助于提升电源使用效率（PUE）这一衡量数据中心能效的关键指标。气候节约计算倡议组织（CSCI）指出，更高效的网络系统和设备到2015年可节省超过50亿美元，并抵消3800万吨二氧化碳排放。
在光伏逆变器应用中，SiC MOSFET可作为传统高压硅IGBT的替代方案，将面板输出的直流电转换为并入电网的高压交流电，且无需特殊驱动电路。由于SiC MOSFET的工作频率高于IGBT，设计人员可以进一步缩小电源中的其他组件，从而在降低成本和体积的同时增强能效。
在电动汽车领域，碳化硅技术预计将显著提高牵引系统的能效并减小其尺寸。美国能源部与行业合作的DRIVE电气与电子技术团队提出，到2020年需将能量损耗减半，同时使尺寸减少20%以上。该路线图明确将宽禁带半导体（即SiC技术）作为研发重点，以提升功率转换器效率并增强器件在高温下的运行安全性。意法半导体SiC器件200°C的耐温能力，相比普通硅基器件及竞争对手的SiC MOSFET，将有助于简化车辆冷却系统的设计。
意法半导体新款1200V SiC功率MOSFET（型号SCT30N120）目前处于样品阶段，预计将于2013年9月进入量产。该产品采用意法半导体专有的HiP247封装，具备行业标准外形并针对高热性能进行了优化，千件起订的指导价格为35美元。对于中国制造业而言，随着全球对能效要求的日益严苛，掌握此类耐高温、高效率的第三代半导体技术，将是未来在新能源汽车及绿色能源领域构建核心竞争力的关键所在。