德国纽伦堡，2026年3月10日——全球领先的半导体企业兆易创新（GigaDevice，港交所代码：3986）今日宣布，正式扩展其GD25UF系列超低功耗SPI NOR Flash存储器的容量范围。该系列现覆盖从8MB到256MB的全规格产品线，旨在通过1.2V的超低工作电压，为人工智能（AI）计算及各类低功耗终端设备提供更优化的存储解决方案。
随着半导体制造工艺的不断进步，系统级芯片（SoC）及高端处理器的运行电压正加速向1.2V演进，以追求极致的能效比。GD25UF系列的工作电压区间设定在1.14V至1.26V之间，完美契合这一行业趋势。该系列专为与1.2V SoC无缝集成而设计，用户无需再依赖额外的电平转换芯片或复杂的电源管理方案。这种架构上的高度协同，不仅减少了外围元器件数量，降低了BOM成本，更通过消除电压转换过程中的能量损耗，显著提升了整体系统的能效表现。
在AI基础设施从超大规模数据中心向边缘端延伸的背景下，对本地非易失性存储的需求日益迫切。无论是超大规模数据中心的代码存储、CXL高速内存互连，还是光纤收发器的高带宽数据传输，都要求存储设备具备高可靠性与大容量。GD25UF系列容量扩展至256MB，足以支撑更复杂的AI推理模型及灵活的系统架构。此外，凭借超低电压特性，该系列特别适用于可穿戴设备、助听器、医疗电子及各类ASIC AI平台，在延长电池寿命的同时，推动了终端设备的极致小型化。
对于中国半导体从业者而言，兆易创新此次产品线的升级表明，在AIoT与边缘计算爆发式增长的当下，通过底层存储技术的电压匹配与架构优化来降低系统功耗，已成为提升产品竞争力的关键路径，值得国内企业在设计低功耗AI终端时重点关注。