美国碳化硅（SiC）解决方案开发商SemiQ公司正式推出了QSiC Dual3系列，这是一组专为数据中心冷却系统电机驱动、储能系统电网转换器以及工业驱动器设计的1200V半桥MOSFET模块。该系列产品的发布标志着在应对高功率密度应用方面，宽禁带半导体技术正加速向关键基础设施领域渗透。
据SemiQ公司介绍，该系列产品旨在打造兼具行业领先转换效率与功率密度的功率转换器。特别值得注意的是，该系列可选配并联肖特基势垒二极管，这一设计能有效降低高温环境下的开关损耗。在六款器件中，有两款产品的导通电阻（RDSon）仅为1毫欧，且从62 x 152毫米的封装中实现了240瓦/立方英寸的功率密度，这一数据在同类硅基产品中极具竞争力。
QSiC Dual3系列的设计初衷是支持对现有IGBT模块进行最小化改动的替换升级。为了确保高可靠性，所有MOSFET芯片均通过了超过1450伏的晶圆级栅氧化层老化测试。此外，该模块具备低结壳热阻特性，使得系统设计得以简化，能够使用更小、更轻的散热器，这对于空间受限或重量敏感的应用场景尤为重要。
随着人工智能驱动的数据中心对电力和散热需求的激增，传统冷却与供电系统正面临极限挑战。SemiQ总裁Timothy Han指出，凭借灵活的设计方案和行业领先的功率密度，QSiC Dual3系列支持250千瓦液冷冷水机组应用，涵盖有源前端和压缩机驱动。相比传统的硅基IGBT解决方案，该系列在提供碳化硅全效性能的同时，显著减小了设备的体积和重量。
美国作为全球半导体技术创新的高地，其碳化硅产业在数据中心、新能源汽车及储能领域的应用已处于领先地位。面对AI算力爆发带来的能源挑战，美国本土企业正通过材料创新推动基础设施的能效革命。此次SemiQ的发布，反映了美国在高端功率半导体领域持续保持技术壁垒，并试图通过解决散热与能效痛点来巩固其在关键供应链中的核心地位。