作为全球半导体行业最核心的技术基石，互补金属氧化物半导体（CMOS）技术凭借其独特的物理特性，彻底重塑了微电子产业格局。该技术最显著的特征在于利用成对的N沟道和P沟道MOS晶体管串联构成逻辑门，这种互补结构使得电路仅在状态切换瞬间消耗能量，而在静态下几乎不耗电。相比之下，早期的NMOS等技术因负载晶体管无法完全关断而存在显著的静态功耗，这成为CMOS技术迅速取代其他工艺的关键驱动力。
法国在微电子领域的深厚积淀为CMOS技术的早期发展提供了重要土壤。以法国电信下属的CNET（国家电信研究中心）和STMicroelectronics（意法半导体）为代表的机构，在CMOS工艺研发上积累了大量经验。CMOS电路在N型和P型晶体管设计上的高度对称性，使其极利于电路的自动化设计与微缩化制造。此外，CMOS还具备优异的抗噪声和抗电离辐射能力，这些优势结合行业长期积累的经验惯性，使其在2001年便占据了全球集成电路产量的86%，在纯逻辑电路领域的占比更是高达93%。
从技术演进的角度看，CMOS的发展速度令人瞩目。早期的CMOS集成电路仅包含两个晶体管构成的反相器，而到了21世纪初，处于预工业化阶段的逻辑电路已集成约1亿个晶体管，并预计在2010年突破10亿大关。这一增长严格遵循摩尔定律：自1970年以来，逻辑芯片的晶体管密度每年以1.35倍的速度增长，而DRAM存储器则达到1.5倍。这种指数级增长主要得益于晶体管尺寸的缩小（年缩减1.3倍）、芯片面积的适度扩大（年增加1.1倍）以及互连距离的压缩（年提升1.05倍）。
在存储技术方面，CMOS工艺同样支撑了多种关键存储器的诞生。动态随机存取存储器（DRAM）利用单晶体管加电容的结构实现高密度存储，但需定期刷新；静态随机存取存储器（SRAM）则通过六晶体管触发器结构实现数据保持，虽占用面积大但无需刷新且断电后若由电池供电仍可保留信息。此外，基于CMOS工艺开发的EPROM等非易失性存储器，实现了高密度与断电数据保持的完美结合，进一步丰富了芯片功能。
随着集成度的提升，电路的工作频率也同步攀升。尽管频率增长略慢于复杂度增长，但预测显示，到2012年，内部频率达到10GHz的CMOS电路将成为现实。这种“复杂度”与“频率”的双重提升，共同构成了现代信息处理芯片的“算力”核心。法国及欧洲在半导体基础理论、器件物理模型（如Frohman-Bentchkowsky的存储器发明及后续模型研究）方面的持续投入，为这一技术演进提供了坚实的理论支撑。
面对CMOS技术向纳米级迈进带来的短沟道效应、漏电流激增等物理极限挑战，中国半导体产业需重点关注器件结构创新与新材料应用。在摩尔定律逐渐逼近物理边界的背景下，单纯依靠尺寸微缩已难以为继，必须从架构优化、3D堆叠及先进封装等维度寻找新的增长极，以在下一代计算架构中保持竞争力。