第三代半导体如何重塑新能源汽车与充电基础设施


	第三代半导体如何重塑新能源汽车与充电基础设施

日本罗姆半导体(ROHM)近日宣布,其最新推出的碳化硅(SiC)塑封模块系列现已开放在线销售,包括专为电动汽车牵引逆变器设计的TRCDRIVE pack™、适用于车载充电器及充电桩的HSDIP20系列,以及面向光伏逆变器与UPS系统的DOT-247模块。这一举措正值全球对能源效率要求日益严苛、电力供应趋紧的背景下,旨在通过推广SiC技术加速高能效功率转换在更多领域的应用。

TRCDRIVE pack™作为2合1 SiC塑封模块,兼容高达300kW的电动汽车牵引逆变器。该模块内置罗姆第四代低导通电阻SiC MOSFET,功率密度达到行业领先水平,是普通SiC塑封模块的1.5倍,显著助力电动汽车逆变器的小型化。其独特的端子布局设计允许用户仅需从顶部推入栅极驱动板即可完成连接,大幅缩短安装时间。HSDIP20系列则提供4合1和6合1配置,涵盖750V和1200V多种电压等级,集成了各种高功率应用所需的基础电路,不仅减轻了制造商的设计负担,也实现了功率转换电路的紧凑化。DOT-247模块在保留广泛使用的TO-247封装兼容性的同时,实现了高功率密度,支持半桥和共源两种拓扑结构,有效减少了分立元件的数量和安装面积。

罗姆的EcoSiC™品牌代表了其在碳化硅领域的深厚积累,从晶圆制造、生产工艺到封装及质量控制,罗姆建立了全流程的垂直整合生产体系,巩固了其作为全球领先SiC供应商的地位。与此同时,市场研究机构Research and Markets发布的报告指出,随着800V及以上高压架构电动汽车的销量激增,SiC和氮化镓(GaN)等第三代半导体材料正迎来爆发式增长。2024年,中国800-1000V高压架构乘用车销量已达73.9万辆,占新能源乘用车销量的6.9%,预计到2030年这一数字将突破745万辆,增长超过十倍。

在中国市场,比亚迪已率先采用1000V平台及1500V SiC功率器件,通过堆叠激光焊接和纳米银烧结等先进技术提升性能与寿命;东风汽车则计划采用1700V SiC功率模块,利用第二代SiC芯片技术显著提升系统效率与续航里程。广汽集团的ADiMOTION平台与吉利的E-DHT系统也在积极探索嵌入式封装与混合碳技术,以平衡性能与成本。此外,无线充电市场同样受益于SiC技术的进步,预计全球无线充电用SiC市场将从2024年的420万美元增长至2034年的1700万美元,年复合增长率达15.1%,其中北美地区凭借政策支持与基础设施投资占据重要份额。

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