驱动变压器原边电容c的容量不能太小，否则驱动脉冲的宽度将被 衰减，导致VTs导通时间过短，减小汤浅蓄电池的输出功率。另一点值得注意的是，MOSFET 管的栅极与源极之间的硅氧化层比较容易因过电压击穿，一般栅、源之间耐压值在 20?30 V，如果一旦击穿将造成**损坏，MOSFET管在电路中工作时，如栅极驱动波 形中由于杂散电感或其他原因引起尖峰电压并超过栅极耐压值时，很容易击穿MOSFET 管的栅极，因此一般在紧靠近栅极处设置一中DZ2和DZ^ 稳压管的箝位电压一般在15?18 V比较合适，当驱动波形中有超过此电压的尖峰脉冲将 被箝位在安全栅极电压之内。
