ESD（静电放电）和 EOS（电过应力）是电子设备测试领域中两个重要的概念。
目的相同：ESD 和 EOS 测试的主要目的都是为了评估电子元器件、设备或系统在遭受异常电应力时的耐受性和可靠性。它们都关注电应力对产品性能和寿命的潜在影响。
测试对象重叠：二者通常都用于测试电子元器件，如集成电路、半导体器件等。这些元器件在制造、组装、运输和使用过程中都可能受到 ESD 或 EOS 的影响。
都属于可靠性测试范畴：ESD 和 EOS 测试都是确保产品质量和可靠性的重要手段。通过这些测试，可以发现产品设计和制造过程中的潜在问题，从而采取措施加以改进。
产生原因不同
ESD：主要是由静电引起的。在日常生活和工业生产中，静电的产生非常普遍，如人体与物体的摩擦、物体之间的摩擦等。当带有静电的物体与电子设备接触时，静电会瞬间释放，形成 ESD。
EOS：通常是由电源波动、信号异常、电磁干扰等因素引起的。例如，电源的突然开启或关闭、雷击产生的电磁脉冲等都可能导致 EOS。
波形特征不同
ESD：静电放电产生的波形通常是非常短暂的脉冲，持续时间在纳秒到微秒级别，电压峰值可能非常高，可达数千伏甚至更高。
EOS：EOS 产生的波形相对较宽，持续时间可能从微秒到毫秒级别，电压峰值一般低于 ESD，但也可能对电子设备造成损害。
测试方法不同
ESD：测试方法主要包括人体模型（HBM）、机器模型（MM）和带电器件模型（CDM）等。这些方法模拟了不同的静电放电场景，以测试产品的 ESD 耐受性。
EOS：测试方法则更侧重于模拟实际工作环境中的电过应力情况，如电源浪涌测试、信号脉冲测试等。
对产品的损害机制不同
ESD：静电放电可能会导致电子元器件的绝缘层击穿、金属化层熔化等物理损坏，从而使元器件失效。
EOS：电过应力可能会引起元器件内部的热效应、电迁移等问题，导致元器件性能下降或失效。