德国纽伦堡，2026年3月10日——全球领先的半导体企业兆易创新（GigaDevice，港交所代码：3986）今日宣布，对其GD25UF系列超低功耗SPI NOR闪存产品线进行重大升级。该系列工作电压低至1.2V，存储容量现已覆盖从8MB到256MB的全区间，旨在解决从高性能AI计算到电池供电便携设备的多样化存储需求。
随着半导体制造工艺的演进，先进SoC与处理器的运行电压正普遍向1.2V靠拢，以追求极致的能效比。兆易创新GD25UF系列的工作电压范围精准锁定在1.14V至1.26V之间，完美契合这一低压化趋势。通过这种架构上的高度协同，该系列闪存无需额外的电平转换器或复杂的电源管理模块即可与1.2V SoC无缝集成。这不仅减少了外围元器件数量，降低了BOM成本，更消除了电源转换过程中的能量损耗，显著提升了系统整体能效。
在AI基础设施从超大规模数据中心向边缘侧延伸的背景下，对本地非易失性存储的可靠性与容量提出了更高要求。面对更大的模型参数、更复杂的推理任务及海量数据吞吐，GD25UF系列将容量上限提升至256MB，为边缘AI服务器、高性能计算平台及CXL内存互连等场景提供了充足的空间。这一升级使得该系列能够广泛应用于可穿戴设备、助听器、医疗电子及各类ASIC AI平台，在推动设备微型化的同时，有效延长电池续航时间。
对于中国半导体从业者而言，兆易创新此次对低压存储产品的深度布局，不仅展示了国产存储芯片在能效管理上的技术突破，更预示着未来AIoT设备将更倾向于采用“系统级低功耗”设计，这为国内产业链在边缘计算领域的降本增效提供了重要参考。