微芯发布耐恶劣环境BZPACK碳化硅模块


	微芯发布耐恶劣环境BZPACK碳化硅模块

德国及欧洲工业界对功率器件在极端环境下的稳定性要求极高,微芯科技(Microchip)近日针对这一市场需求,正式推出了BZPACK mSiC®功率模块。该产品专为应对高湿度、高电压及高温反向偏压(HV-H3TRB)等严苛工况而设计,旨在为工业制造和可再生能源领域提供更高可靠性的功率转换方案。

BZPACK模块深度集成了微芯先进的mSiC技术,融合了其MB和MC系列SiC MOSFET的卓越性能。在测试标准上,该模块不仅满足HV-H3TRB要求,更超越了1000小时的行业基准,确保在恶劣环境下长期运行的稳定性。其外壳具备600V CTI的耐漏电起痕指数,配合氧化铝(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)等多种基板选项,在绝缘性能、热管理及长效耐用性方面表现优异。

在架构灵活性方面,BZPACK模块支持半桥、全桥、三相以及PIM/CIB等多种拓扑结构,赋予设计者在性能、成本与系统架构间优化的广阔空间。微芯高功率解决方案业务副总裁Clayton Pillion表示,此次发布强化了微芯在极端功率转换环境提供坚固高性能方案的承诺,通过先进的mSiC技术,帮助客户在工业和可持续发展市场中更轻松地构建高效、持久的系统。

为简化生产流程并降低系统复杂度,BZPACK采用了无底板(baseplate-less)紧凑设计,配备压入式无焊端子和可选的预涂热界面材料(TIM)。这种设计不仅加快了组装速度,提升了制造一致性,还通过行业标准封装实现了更便捷的多元化采购。此外,模块设计支持引脚兼容,进一步降低了集成难度。

微芯的MB和MC系列mSiC MOSFET不仅适用于工业领域,还针对汽车应用提供了符合AEC-Q101标准的选项。这些器件支持常见的栅源电压(VGS ≥ 15V),并采用行业标准封装。其经过验证的HV-H3TRB能力有效降低了因湿气引起的泄漏或击穿风险,显著提升了长期可靠性。其中,MC系列还集成了栅极电阻,在多芯片模块配置中实现了更优的开关控制、更低的开关能耗及更高的稳定性。

凭借在SiC器件及功率解决方案领域超过20年的研发与制造经验,微芯致力于帮助客户以更低成本、更快速度及更低风险采用SiC技术。目前,BZPACK mSiC功率模块已投入量产,客户可直接向微芯或其销售代表采购。对于中国电力电子行业而言,随着国内新能源与高端制造对器件环境适应性要求的提升,此类具备超高标准可靠性验证的碳化硅模块,将为国产替代及高端系统设计提供重要的技术参考与供应链选择。

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