外表常规检查
蓄电池平常都在发动机舱里，有些待遇好的外面还有保护套，虽然外界不会对它有直接的冲击，但如果蓄电池老化，内部会出现过热的现象，冷热的变化会导致原本平整的表面发生变形。如果察觉到蓄电池外形发生了变化就一定
外表常规检查
蓄电池平常都在发动机舱里，有些待遇好的外面还有保护套，虽然外界不会对它有直接的冲击，但如果蓄电池老化，内部会出现过热的现象，冷热的变化会导致原本平整的表面发生变形。如果察觉到蓄电池外形发生了变化就一定需要更换了。
车主们除了在外观上对蓄电池进行检查外，也可以通过一些免维护电池上的圆形检查视窗内的颜色变化进行自检，另外，检查蓄电池需要使用一些工具。其他更加的检测还是应当交由维修店进行，以免发生危险。
一般来说蓄电池的使用周期都在2年左右，但如果车主使用得当寿命则可以达到4-5年。
提醒：一般使用2年后，就要进行相关的检查。
电压检查
状态良好的蓄电池标准电压应该保持在12.2-12.7V之间。如果电压过低应该进行充电，充电时应保持小电量长时间充电。蓄电池充电需使用的充电机进行，车主切勿尝试自己进行充电，车主只要保持发动机运转就可以对蓄电池进行充电了。如果蓄电池发生老化就应该进行更换了。
提醒：如果蓄电池没有损坏，正常的启动运作就能发电、充电。
电解液密度检查
这是评价蓄电池充电是否正常、是否发生老化的重要参数，利用密度计或电解液密度测试仪都可以进行测量。如果电解液密度过小则需要进行充电。而电解液浓度过浓或过稀到一定程度，也就意味着发生了诸如极板硫化、短路或是过充电现象，这时候就需要进行维修了。
提醒：这个检查一般需要维修厂的技师进行检查，车主自己一般没有相应工具。
检查蓄电池桩头
蓄电池桩头是蓄电池与车辆连接的部分，如果发生腐蚀或连接不良的情况都会造成蓄电池工作不良，车主可以检查桩头附近是否有白色粉末产生，那些就是桩头腐蚀的标志。如果白色粉末较多或者有绿色氧化物时，可以用开水将其烫掉，之后再对其进行防腐处理，在桩头上涂抹一些润滑脂或防腐剂即可，但要注意不可涂抹过多，以免影响使用。
什么是 CC/CV？
恒流/恒压（CC/CV）锂离子电池充电方式，是在充电初始阶段采用恒流充电，在充电后期当电池达到设定的充电量时切换到恒压充电，以防止电池过充。
开放架构 CC/CV AC-DC 电池充电器
新发布的300 W 和 600 W 参考设计将 SuperGaN FET 与控制器配对，采用流行的功率因数校正 (PFC) 和谐振 LLC 拓扑，其中 LLC 特别针对宽电池电量范围（从空电到满电）的设计。利用 Transphorm 的 SuperGaN 平台，电源系统开发人员能够限度发挥PFC+LLC的性能潜力，以竞争力的成本实现这些拓扑所能达到的效率。
这两款参考设计采用纯模拟控制器，而不是需要固件的数字控制器。这种配置具有几个优点，例如更易于设计、产品开发简化，原因如下：
·开发资源要求降低
·开发时间缩短
·无需进行可能很复杂的固件编程/维护
注：300W 参考设计包括一个额外的 PWM 输入端口，用于获取低于额定输出值的输出电流，从而进一步提高了应对各类电池的灵活性。
主要技术规格如下：
这两款参考设计采用的是Transphorm 的 SuperGaN FET器件，SuperGaN的独特优势包括：
·业界的稳健性：+/- 20 V 栅极阈值和 4 V 抗扰性。
·更优的可设计性：减少器件周边所需电路。
·更易于驱动：SuperGaN FET能使用硅器件所常用的市售驱动器。
如何获取参考设计
Transphorm 目前可以提供完整的 300 W 和 600 W CC/CV 电池充电器参考设计。请访问以下链接，技术文档、设计文件、固件和物料清单：
·TDAIO-TPH-ON-CCCV-300W-RD: https://transphormusa.cn/zh/reference-design/tdaio-tph-on-cccv-300w-rd/
·TDAIO-TPH-MPS-CCCV-600W-RD: https://transphormusa.cn/zh/reference-design/tdadp-tph-mps-usbc-140w-rd-2/
为确保上述电池充电器的设计准确性，请电源系统开发人员参阅以下设计指南：
·带 LLC输出的电源适配器的恒流/恒压 (CC/CV) 应用： https://transphormusa.cn/zh/document/design-guide-design-guide-11-constant-current-constant-voltage-application-for-llc/
如需了解设计工具中的 SuperGaN 器件的更多信息，请访问以下链接：
·TP65H070G4PS
采用 TO-220 封装的 650 V、72 mΩ GaN FET
https://transphormusa.cn/zh/product/product-profile-tp65h070g4ps-2/
·TP65H150G4PS
采用 TO-220 封装的 650 V、150 mΩ GaN FET